收藏本站
NTB5405N, NVB5405N
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK 3
CASE 418B ? 04
ISSUE K
1
? B ?
4
2
3
S
C
A
E
V
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B ? 01 THRU 418B ? 03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B ? 04.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.340 0.380 8.64 9.65
B 0.380 0.405 9.65 10.29
C 0.160 0.190 4.06 4.83
D 0.020 0.035 0.51 0.89
E 0.045 0.055 1.14 1.40
F 0.310 0.350 7.87 8.89
G
? T ?
SEATING
PLANE
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
D 3 PL
0.13 (0.005)
L
M
R
T B
M
K
H
N
L
J
W
U
P
L
G 0.100 BSC
H 0.080 0.110
J 0.018 0.025
K 0.090 0.110
L 0.052 0.072
M 0.280 0.320
N 0.197 REF
P 0.079 REF
R 0.039 REF
S 0.575 0.625
V 0.045 0.055
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
2.54 BSC
2.03 2.79
0.46 0.64
2.29 2.79
1.32 1.83
7.11 8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14 1.40
M
F
VIEW W ? W
1
M
F
VIEW W ? W
2
M
F
VIEW W ? W
3
SOLDERING FOOTPRINT*
10.49
8.38
16.155
2X
3.504
2X
1.016
5.080
PITCH
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTB5411NT4G MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
NTB5412NT4G MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
NTB5426NT4G MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
NTB5605T4G MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
NTB6410ANG MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
NTB6411ANG MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
NTB6413ANG MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
NTB85N03T4G MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
相关代理商/技术参数
NTB5405NT4G 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5411N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB5411NT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 60V 75A 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5412N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB5412NT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 60V 60A 14.0mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5426N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTB5426NT4G 功能描述:MOSFET 60V, 4.5mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5605P 功能描述:MOSFET -60V -18.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube